Les transistors peuvent être considérés comme deux diodes (jonctions P – N) partageant une région commune que les transporteurs minoritaires peuvent traverser. Un BJT PNP fonctionnera comme deux diodes qui partagent une région de cathode de type N, et le NPN comme deux diodes partageant une région d`anode de type P. La connexion de deux diodes avec des fils ne fera pas de transistor, puisque les porteurs minoritaires ne seront pas en mesure d`obtenir d`une jonction P – N à l`autre par le fil. Les transistors bipolaires ont quatre régions distinctes d`opération, définies par des biais de jonction BJT. Le bloc transistor bipolaire NPN utilise une variante des équations Ebers-Moll pour représenter un transistor bipolaire NPN. Les équations d`Ebers-Moll sont basées sur deux diodes exponentielles plus deux sources de courant contrôlées par le courant. Le bloc transistor bipolaire NPN fournit les améliorations suivantes à ce modèle: les transistors ont des «cotes maximales», y compris les puissances nominales (essentiellement limitées par l`auto-échauffement), le collecteur maximal et les courants de base (les cotes continue/DC et le PIC), et les cotes de tension de panne, au-delà desquelles l`appareil peut échouer ou au moins effectuer mal. Un transistor à jonction bipolaire (BJT) est un dispositif électronique à trois bornes construit en matériau semi-conducteur dopé et peut être utilisé pour amplifier ou commuter des applications. Les transistors bipolaires sont ainsi nommés parce que leur opération implique à la fois des électrons et des trous. Le débit de charge dans un BJT est dû à la diffusion bidirectionnelle des porteurs de charge à travers une jonction entre deux régions de différentes concentrations de charge. Par conception, la majeure partie du courant de collecteur BJT est due à l`écoulement des charges injectées d`un émetteur de haute concentration dans la base où ils sont des porteurs minoritaires qui diffusent vers le collecteur, et ainsi BJTs sont classés comme dispositifs de porteur de minorité ce mode de le fonctionnement est contrasté avec les transistors porteurs majoritaires, tels que les transistors à effet de champ, dans lesquels seuls les transporteurs majoritaires sont impliqués dans le flux de courant dû à la dérive.
Les transistors bipolaires ont cinq régions distinctes d`opération, définies par la façon dont les jonctions sont biaisées. Afin de visualiser les modes de fonctionnement, dessinez un transistor NPN avec son collecteur sur le dessus, la base au milieu et l`émetteur sur le fond. Maintenant, il y a deux différences de tension: entre le collecteur et la base, et entre la base et l`émetteur. Notez deux points: VCB =-VBC, et «jonction de base-collecteur biaisée inversée» signifie VBC 0. En termes simples, cela signifie que le collecteur a une tension plus élevée que la base (si sondé). L`analogue mécanique peut être un tuyau et une vanne. [1] G. Massobrio et P. Antognetti.
Modélisation de dispositif semi-conducteur avec SPICE. 2e édition, McGraw-Hill, 1993. Le transistor à effet de champ de type n-oxyde-semiconducteur (MOSFET) est constitué d`une source et d`un drain, de deux régions semi-conductrices de type n à haute conductrice qui sont isolées du substrat de type p par des diodes PN biaisées inverses. Une barrière de silicium poly-cristalline couvre la région entre la source et le drain, mais est séparée du semiconducteur par une couche isolante d`oxyde. La structure de base d`un MOSFET de type n et le symbole de circuit correspondant sont représentés dans la figure. Modèle NPN transistor bipolaire à l`aide de l`amélioration Ebers-Moll équations figure la section transversale et le symbole du circuit d`un type n-oxyde-semiconducteur-champ-effet-transistor (MOSFET) des instructions de modèle pour le simulateur de circuit ADS peuvent être stockés dans un fichier externe. Ceci est généralement fait avec des kits de modèle de fonderie. Pour plus d`informations sur la façon de configurer et d`utiliser les kits de modèle de fonderie, référez-vous au développement du kit de conception. Dépendance de la température du modèle: fournissez une valeur pour la température de simulation, pour modéliser les effets dépendants de la température.
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